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半導体産業をリードする半導体。
技術進歩が進む中でメモリー製品の多様化が
進んでいます。
高集積化、高性能化を左右するのが
材料技術の進歩であることは言うまでもありません。
TCLCはエッチングガスや成膜材料を中心に
貢献しております。
エッチング
Poly-Si/アモルファスSi | HBr SiCl4 |
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配線 |
BCl3 BBr3 CHCl3 |
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絶縁膜 | 炭化フッ素系化合物 |
イオン注入
BF3(B化合物) PF3 GeF4 Sb化合物 |
クリーニング
CH3OH 炭化フッ素系化合物 |
配線関係
シード層 配線材料 |
Cu-CVD |
HfacCu:TMVS/TMVS (Hfac)2Cu:DMDV |
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Al-CVD |
DMAH DMEAA |
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バリアメタル | TiN-CVD |
TiCl4 TDMAT TDEAT |
TaN-CVD | アミノタンタル化合物 |
絶縁膜関係
Low-k (低比誘電率膜) |
Low-k CVD |
DMDMOS アルキルシリコン化合物 |
---|---|---|
高比誘電率膜 | BST-CVD |
Ba(DPM)2 Sr(DPM)2 Ti(i-OC3H7)4 |
SBT-CVD |
Sr(DPM)2 Bi(CH3)3/Solution Ta(OC2H5)5 |
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High-k CVD |
TMA Zr[N(C2H5)2]4 Hf[N(C2H5)2]4 |
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強誘電体 | PZT-CVD |
Pb(DPM)2 Zr(DPM)4 Zr(t-OC4H9)4 Ti(i-OC3H7)4 |
電極 |
Pt(CH3)(CH3C5H4) Ir(AcAc)3 |