トップページ > Si半導体
半導体産業をリードする半導体。
技術進歩が進む中でメモリー製品の多様化が
進んでいます。
高集積化、高性能化を左右するのが
材料技術の進歩であることは言うまでもありません。
TCLCはエッチングガスや成膜材料を中心に
貢献しております。
エッチング
| Poly-Si/アモルファスSi | HBr SiCl4 |
|
|---|---|---|
| 配線 |
BCｌ3 BBr3 CHCｌ3 |
|
| 絶縁膜 | 炭化フッ素系化合物 | |
イオン注入
|
BF3（B化合物） PF3 GeF4 Sb化合物 |
クリーニング
|
CH3OH 炭化フッ素系化合物 |
配線関係
| シード層 配線材料 |
Cu-CVD |
HfacCu:TMVS/TMVS （Hfac）2Cu:DMDV |
|---|---|---|
| Al-CVD |
DMAH DMEAA |
|
| バリアメタル | TiN-CVD |
TiCl4 tdMAT tdEAT |
| TaN-CVD | アミノタンタル化合物 |
絶縁膜関係
| Low-k (低比誘電率膜） |
Low-k CVD |
DMDMOS アルキルシリコン化合物 |
|---|---|---|
| 高比誘電率膜 | BST-CVD |
Ba(DPM)2 Sr(DPM)2 Ti(i-OC3H7)4 |
| SBT-CVD |
Sr(DPM)2 Bi(CH3)3/Solution Ta(OC2H5)5 |
|
| High-k CVD |
TMA Zr[N(C2H5)2]4 Hf[N(C2H5)2]4 |
|
| 強誘電体 | PZT-CVD |
Pb(DPM)2 Zr(DPM)4 Zr(t-OC4H9)4 Ti(i-OC3H7)4 |
| 電極 |
Pt(CH3)(CH3C5H4) Ir(AcAc)3 |
|